產(chǎn)品詳情
簡單介紹:
由于SiC功率器件超越傳統(tǒng)Si制品,具有低損耗和高速運行能力,因此作為大電流和高壓應(yīng)用中的節(jié)能關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。我們的SiC-MOSFET模塊是適用于高速開關(guān)的產(chǎn)品,采用獨自的包裝「Techno Block※1」,可提高長期可靠性,減少損耗并減小尺寸。
詳情介紹:
三社2合1 SiC MOSFET 模塊特點
- 獨自的包裝「Techno Block」可實現(xiàn)長期可靠性※2和小型化
- 內(nèi)部結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)高速開關(guān)并將電感減小到大約1/2(與我們的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比)
- 采用了松下公司獨特的SiC-MOSFET芯片(DioMOS(二極管內(nèi)置MOSFET)),該芯片具有內(nèi)置的再生二極管功能,可以減少不必要的電感,以實現(xiàn)理想的開關(guān)。
- 對SiC-MOS的弱點短路破壞,實現(xiàn)了裝置**設(shè)計的業(yè)界**的短路耐量
- 芯片擁有在高溫(150°C)下也幾乎不變的導(dǎo)通電阻特性,在實際使用中可實現(xiàn)高效率化
- 具有高閾值(閾值電壓4.0V(Typ.))的門極特性,可以抵抗高頻驅(qū)動期間由于噪聲引起的故障
- ※1
-
小型,高散熱封裝,帶有我們獨特的雙面焊接和一體注塑成型工藝
通過不使用引線鍵合技術(shù)來實現(xiàn)長期可靠性和小型化。Techno Block是我們的商標。 - ※2
- 功率循環(huán)耐量約為本公司傳統(tǒng)產(chǎn)品的3倍。
用途
- 工業(yè)變頻器
- DC-DC轉(zhuǎn)換器
- 電動車充電器
- 高輸出諧振電源
*大額定
除非另有說明一般 Tj=25℃
項目 | 符號 | 單位 | 額定值 | 條件 | |
---|---|---|---|---|---|
FCA100AC120 | FCA150AC120 | ||||
漏極電壓 | VDSS | V | 1200 | - | |
漏極電流 | ID | A | 100 | 150 |
VGS=20V, Tc=90℃ |
電力流失 | Ptot | W | 625 | 1135 | Tc=25℃ |
工作結(jié)溫 | Tj | ℃ | -40 ~ +150 | - | |
絕緣耐壓 | Viso | V | 2500 | AC 60Hz 1min |
電氣特性
除非另有說明一般 Tj=25℃
項目 | 符號 | 單位 | 規(guī)格值 | 條件 | |||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
*小 | 標準 | *大 | |||||||||
FCA100AC | FCA150AC | FCA100AC | FCA150AC | FCA100AC | FCA150AC | FCA100AC | FCA150AC | FCA100/150AC120 | |||
漏極導(dǎo)通電阻 | RDS(on) | mΩ | - | - | 6.8 | 4.1 | 14 | 9.3 |
ID =100A |
ID =150A |
VGS=20V |
- | - | 7.4 | 4.5 | 15 | 10 |
VGS=20V, Tj=150℃ |
|||||
漏極熔斷電流 | IDSS | μA | - | - | - | - | 200 | 300 | - | - |
VDS=1200V, VGS=0V |
門極閾值電壓 | VGS(th) | V | 3 | 3 | 4 | 4 | 5 | 5 |
ID =3mA |
ID =4.5mA |
VDS=10V |
門極漏電流 | IGSS | nA | - | - | - | - | 200 | 300 | - | - |
VGS=20V, VDS=0V |
熱阻 | Rth(j-c) | ℃/W | - | - | - | - | 0.2 | 0.11 | - | - |
接合部 - 外殼間 (每個素子) |