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英飛凌擴(kuò)展1200 V 62 mm IGBT7 產(chǎn)品組合模塊
日期：2024-12-23 14:54
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摘要：英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的62 mm半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合。模塊的*大電流規(guī)格高達(dá) 800 A ，擴(kuò)展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設(shè)計(jì)的產(chǎn)品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)額定電流更高方案的時(shí)候，不僅提供*大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優(yōu)良的電氣性能。新型模塊專為滿足 集中式太陽(yáng)能逆變器以及 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 不間斷電源（UPS）的需求而開(kāi)發(fā)。此外，它還廣泛適用于 電動(dòng)汽車充電樁、 儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）和其他新型工業(yè)應(yīng)用。
基...
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的62 mm半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合。模塊的*大電流規(guī)格高達(dá) 800 A ，擴(kuò)展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設(shè)計(jì)的產(chǎn)品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)額定電流更高方案的時(shí)候，不僅提供*大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優(yōu)良的電氣性能。新型模塊專為滿足 集中式太陽(yáng)能逆變器以及 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 不間斷電源（UPS）的需求而開(kāi)發(fā)。此外，它還廣泛適用于 電動(dòng)汽車充電樁、 儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）和其他新型工業(yè)應(yīng)用。
基于新型微溝槽技術(shù)，搭載 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 芯片的62mm 模塊系列的靜態(tài)損耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于搭載 IGBT4 芯片組的模塊。這些特性大大降低了應(yīng)用中的損耗，在以中等開(kāi)關(guān)頻率工作的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中尤為顯著。IGBT 的振蕩行為和可控性也得到了提升。此外，全新功率模塊的*大過(guò)載結(jié)溫為 175°C。
堅(jiān)固的鍍鎳銅底板和螺母主端子確保了 62 mm模塊封裝具有足夠的機(jī)械強(qiáng)度。主端子位于封裝中央，由于其直流鏈路連接電感較低，因此非常適合并聯(lián)電路和三電平拓?fù)渑渲?。?biāo)準(zhǔn)的封裝設(shè)計(jì)和尺寸使得該系列能夠兼容此前的模塊版本。此外，所有模塊均可使用英飛凌經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的預(yù)涂熱界面材料（TIM）。
供貨情況
現(xiàn)在即可訂購(gòu) 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 62mm產(chǎn)品組合。預(yù)涂熱界面材料的型號(hào)也將在不久后推出。
基于新型微溝槽技術(shù)，搭載 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 芯片的62mm 模塊系列的靜態(tài)損耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于搭載 IGBT4 芯片組的模塊。這些特性大大降低了應(yīng)用中的損耗，在以中等開(kāi)關(guān)頻率工作的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中尤為顯著。IGBT 的振蕩行為和可控性也得到了提升。此外，全新功率模塊的*大過(guò)載結(jié)溫為 175°C。
堅(jiān)固的鍍鎳銅底板和螺母主端子確保了 62 mm模塊封裝具有足夠的機(jī)械強(qiáng)度。主端子位于封裝中央，由于其直流鏈路連接電感較低，因此非常適合并聯(lián)電路和三電平拓?fù)渑渲?。?biāo)準(zhǔn)的封裝設(shè)計(jì)和尺寸使得該系列能夠兼容此前的模塊版本。此外，所有模塊均可使用英飛凌經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的預(yù)涂熱界面材料（TIM）。
供貨情況
現(xiàn)在即可訂購(gòu) 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 62mm產(chǎn)品組合。預(yù)涂熱界面材料的型號(hào)也將在不久后推出。
